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產品詳情
簡單介紹：
氣相沉積設備
● ±2%以內的膜厚均勻性
● 低溫工藝對應
● 抑制
顆粒產生 ● 提高
維護性 ● 緊湊的裝置結構
● 提高
**性 ● 良好的臺階覆蓋性
詳情介紹：
概述
在密封室中，晶圓的沉積表面通過上部夾頭向下部保持并加熱，
同時從底部的分散頭吹出工藝氣體。
通過夾緊，可以提高晶圓表面的溫度均勻性，實現出色的薄膜厚度均勻性。
此外，通過防止氣體進入晶圓背面，防止背面沉積，防止顆粒粘附在晶圓上和腔室中
。
設備尺寸盡可能緊湊，占用空間*小。
密封室消除了氣體泄漏，提高了工人的**性。
性能
| 支持的晶圓尺寸 | 到 8 英寸 | |||||||||||||||||
| 氣體種類 | SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3是可選的） | |||||||||||||||||
| 沉積溫度 | 300～450℃ | |||||||||||||||||
| 生產力 | ~15張/小時（500nm成膜時） | |||||||||||||||||
規格
| 設備尺寸 | 890mm(W) x 2300mm(D) x 2250mm(H) | |||||||||||||||||
| 加熱機構 | 電阻加熱 | |||||||||||||||||
| 卸載 | 雙滑塊，機器人 CtoC 輸送 | |||||||||||||||||
|
分散頭 （氣體噴嘴） |
圓形 | |||||||||||||||||
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