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產品詳情
簡單介紹：
高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業塑料廣場）作為放電形式。 該設備具有負載鎖室，具有出色的工藝可重復性和穩定性。
詳情介紹：
概述
高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業塑料廣場）作為放電形式。 該設備具有負載鎖室，具有出色的工藝可重復性和穩定性。
特點
新型ICP源「HSTC?： Hyper Symmetrical Tornado Coil」
高射頻功率（2 kW 或更高）可高效、穩定地應用，以實現良好的均勻性。
大流量排氣系統
通過采用與反應室直接相連的排氣系統，實現了從小流量、低壓區域到大流量、高壓范圍的各種工藝窗口。
下部電極升降機構
優化晶圓和等離子體之間的距離，確保良好的平面內均勻性。
易于維護的設計
TMP（渦輪分子泵）易于單元化和更換。
應用示例
? 高精度加工化合物半導體，如 GaN、GaAs 和 InP
?高速加工SiC、SiO
? 蝕刻難蝕刻材料，如鐵電體（PZT、BST、SBT、BT）和電極材料（Pt、Au、Ru、Al）
化合物半導體晶圓的等離子切割，薄型化
選項
難蝕刻材料用特殊電極機構
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