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產品詳情
簡單介紹：
RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備，用于化合物半導體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業堆疊 Plasma）
詳情介紹：
概述
RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設備，用于化合物半導體工藝的多片同時處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業堆疊 Plasma）。 此設備支持 ±350mm 大型托盤。 它配備了新的 ICP 源 HSTC?（海珀系統三元組）電極，該電極是傳統龍卷風 ICP 的開發，可在大面積上實現出色的均勻性蝕刻。
特點
? 支持 350mm 大托盤
可同時處理 3 個晶圓，× 4“×8 和 6”。
采用新的 ICP 源“HSTC?”
對于大面積，我們實現了出色的均勻性蝕刻。
應用示例
GaN 的垂直蝕刻和反向錐形蝕刻
?PSS （Patterned Sapphire Substrate） 加工
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