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產品詳情
簡單介紹：
在晶圓等的研磨和拋光過程中，晶圓和樹脂的厚度以超高速和高精度非接觸式測量。
詳情介紹：
特殊長度
- 光學非接觸和非破壞性厚度測量是可能的
- 實現高測量再現性
- 可以進行高速、實時的拋光監控
- 實現長 WD（工作距離）并易于集成到設備中
- 使用來自主機設備的 LAN 由 TCP / IP 通信控制
- 可進行多層厚度測量
- 可以測量每層臨時晶圓（臨時鍵合晶圓）的厚度。
-
測量項目
- 厚度測量（5層）
采用
- 各種晶圓（硅等復合晶圓）的厚度測量
- 融入研磨、拋光、粘合等各種工藝
- 晶片以外的厚膜構件的厚度測量
并入半導體工藝的示例
■ CMP工藝
■ 臨時粘合
■ 背磨
■ 濕法蝕刻
規格
* 1：測量初始參考樣品 AirGap 約 1000 μm 時的相對標準偏差 (n = 20)
* 2：使用 WD80 mm 探頭時的設計值
設備配置
選項
■ 150 mm 樣品規格
■ 300 mm 樣品規格
■ 共同特點
- 對齊精細圖案并提供晶圓厚度和各種厚度信息
- 搭載高精度XY定位平臺（2μm以下），實現高精度定位。
- 兼容非晶圓形狀
- 您可以檢查測量點周圍的視野
測量示例
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Φ300 mm硅片厚度測量 |
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