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產品詳情
簡單介紹：
主要特長
利用本公司開創的高速圖像處理技術, 實現了Wafer與掩膜的高精度對位。
裝載機側和卸載機側*多可設置兩個籃具（選購項）。
備有冷卻機構，可進行基板臺與掩膜的溫度管理（選購項）。
搭載本公司開創的鏡面光學系統爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實現了照射面內的均勻性以及高照度。
搭載非接觸預對位系統（PREALIGNER）。從而實現了高精度進給且保證基板不受任何損傷。
搭載有自動掩膜更換機。并可支持掩膜存放庫。
詳情介紹：
光刻機介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對應曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）
?300mm對應曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規格也可對應
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規格
| MA-4301M | ||
|---|---|---|
| Wafer尺寸 | 材料 | Si,Glass |
| 尺寸 | Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm | |
| Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm | ||
| 節拍時間 |
Proximity exposure：19 s/wafer (One parallelism compensation per lot) |
|
| 對位精度 |
自動對位：+/- 1 μm (Peak search) |
|
| 間隙 |
1 to 200 μm Servo motor Setup resolution：1 μm |
|
| 曝光方式 |
Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure |
|
| 尺寸?重量 |
本體尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 總重量(including lamp house)：1400 kg |
|
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